福建省厦门市三安有限公司(Sanan )(中国第一家6英寸纯晶晶圆代工厂)宣布推出150mm氮化镓硅(GaN-on-Si)晶圆代工厂的商业发布服务，适用于最新的高压AC / DC和DC / AC电力电子应用。
G06P111是一款650V增强型高电子迁移率晶体管(E-HEMT)GaN工艺，为该公司的功率电子晶圆代工厂提供宽带隙(WBG)化合物半导体，其中包括100mm和150mm碳化硅(SiC)用于高压肖特基势垒二极管(SBD)。凭借母公司Sanan Optoelectronics在LED市场上获得的多年大量GaN制造经验，Sanan IC能够通过内部金属有机化学气相沉积(MOCVD)高压，低压增长能力来补充其代工服务-leakage GaN-on-Si外延片具有高均匀性。
“我们的650V GaN E-HEMT工艺技术的推出体现了我们对先进化合物半导体制造服务全球市场的承诺，”Sanan IC的助理总经理Jasson Chen说。“我们认为硅基氮化硅作为碳化硅的补充技术，是当今高压，高功率电子行业的首选关键宽带半导体，”他补充道。“元件供应商和系统设计人员正在转向使用传统硅片的宽带隙半导体，以提高高功率模拟设计的性能，效率和可靠性。Sanan IC在成功服务于这个高增长，大规模的电力电子市场方面处于有利位置，“他相信。
G06P11 GaN-on-Si工艺通过了JEDEC工艺可靠性认证标准，为650V E模式FET提供器件结构，支持漏极 - 源极导通电阻(R DS(on))范围50- 400mΩ。该器件专为低泄漏，低栅极电荷，高电流密度和低动态特定导通电阻(R sp)而设计，可实现超高速开关紧凑型设计，适用于高温操作。今年晚些时候将推出200V GaN E-HEMT工艺以及采用合并PiN肖特基(MPS)二极管结构的第二代SiC SBD工艺。
Sanan IC表示，GaN-on-Si作为一种工艺技术适用于最新一波消费和服务器应用，如电源适配器，USB-PD(电力传输)，便携式充电器和AC / DC功率因数校正(PFC)不间断电源(UPS)。该技术也在EV / HEV(混合动力/电动汽车)，LiDAR和无线充电等其他市场获得牵引力。根据市场研究公司YoleDéveloppement的报告“Power GaN 2018：外延，器件，应用”的牛市情景，GaN功率器件市场在2023年以93%的复合年增长率(CAGR)上升至4.23亿美元。和技术趋势报告，2018年12月'。Sanan IC表示，它致力于为电力电子行业的这些多个细分市场提供这项新兴技术。
